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 En octubre pasado, la gente de Micron y Samsung formaron el HMC Consortium, con el objetivo de estimular el desarrollo y la producción de algo que hemos visto muchas veces en la ciencia ficción, pero que ahora puede convertirse en el formato del futuro: El cubo de memoria. Y para darle forma al deseado cubo, nada menos que otro gigante. Aplicando un nuevo método de fabricación tridimensional, IBM producirá al primer cubo de memoria, apuntando de lleno a una disponibilidad comercial.
La ciencia ficción ha sido particularmente implacable a la hora de mostrar cubos, esferas y varillas como formatos “inusuales” de almacenamiento. La memoria RAM ha cambiado de formato en varias ocasiones durante los últimos años, pero incluso si retrocedemos hasta las viejas memorias SIMM de 30 pines, la esencia sigue siendo la misma: Una tira de silicio con chips y componentes instalados en su superficie. La reducción en los métodos de fabricación nos ha llevado a tener chips más pequeños con una mayor capacidad, un detalle crítico que ha ayudado a mantener un formato relativamente cómodo, pero no podemos depender de esa miniaturización para siempre, porque como bien ya sabemos, eso tiene un límite.
Por lo tanto, la gente de Micron llegó a una conclusión lógica: Si no podemos seguir reduciendo su tamaño, habrá que comenzar a apilarlos. Y así fue como surgió el concepto del Cubo de Memoria Híbrido, que básicamente habla de una “capa lógica” como base, y múltiples “moldes” de circuitos (o “dies” en inglés) colocados uno encima de otro, unidos por “tuberías” de silicio. Algunos de los números estimados son realmente sorprendentes: En teoría, el cubo de memoria debería entregar más de quince veces el rendimiento de una memoria DDR3, usando un 70 por ciento menos de energía por bit, todo esto bajo una reducción de espacio del 90 por ciento. Claro que, para alcanzar algo así se necesita un método de fabricación robusto y viable, y allí es en donde entra IBM. De acuerdo al anuncio, el gigante azul utilizará su método “high-K metal gate” de 32 nanómetros para fabricar las capas lógicas, mientras que Micron se encargará de los moldes.
Lamentablemente, la publicación de IBM no menciona nada sobre costos, y al mismo tiempo, debemos preguntarnos cómo es que han podido superar algunos detalles elementales, como por ejemplo la refrigeración. En las memorias RAM consideradas “de alto rendimiento” podemos encontrar disipadores de aluminio y/o cobre que asisten al funcionamiento correcto de los chips, pero si un molde está sobre el otro, ¿cómo disipamos el calor? Tal vez parezca absurdo, pero se me cruzó por la cabeza una especie de “vaina” de cobre activa (con sopladores) que cubra por completo el cubo, de forma similar a los blindajes de metal que se usaban en los viejos tubos de vacío (o “válvulas termoiónicas”, no sea cosa que Mario me regañe) para evitar interferencias. Claro que, lo más probable es que tanto IBM como Micron hayan llegado a una solución mucho más elegante, o tal vez tengamos la suerte de que su reducción en el uso de energía sea la suficiente como para disipar calor de forma pasiva. ¿Cuándo llegaría esto al mercado? Se habla de 2014, aunque no hay nada seguro. De más está decirlo, esperaremos a este cubo de todas formas.
http://www.neoteo.com/ibm-producira-el-esperado-cubo-de-memoria |
